Устойчивость самосинхронных комбинационных схем к кратковременным логическим сбоям

Ю.А. Степченков, Ю.Г. Дьяченко, Ю. В. Рождественский, Н.В. Морозов, Д.Ю. Степченков, Д.Ю. Дьяченко. Устойчивость самосинхронных комбинационных схем к кратковременным логическим сбоям / Системы и средства информатики, – М.: ТОРУС ПРЕСС, Т. 30, № 2, 2020 – С. 4-10

DOI:10.14357/08696527200201

Аннотация: Рассматривается вопрос устойчивости самосинхронных (СС) комбинационных схем, изготовленных по технологии комплементарный металл — диэлектрик — полупроводник (КМДП), к кратковременным логическим сбоям (ЛС), вызываемым внешними причинами или внутренними помехами, не приводящими к разрушению полупроводниковых структур. Обсуждаются последствия воздействия физических причин, приводящих к ЛС в микросхеме, изготовленной по КМДП-технологии с проектными нормами 65 нм и ниже. Введена классификация ЛС в СС комбинационных КМДП-схемах в зависимости от времени их появления и типа сбоя. Самосинхронные схемы имеют более высокую степень устойчивости к кратковременным ЛС, чем их синхронные аналоги, благодаря двухфазной дисциплине работы, запрос- ответному взаимодействию и парафазному кодированию информационных сигналов. Предложены схемотехнические и топологические методы, обеспечивающие снижение чувствительности СС комбинационных КМДП-схем к логическим сбоям за счет гарантированного отсутствия биполярного влияния источника ЛС на элементы, формирующие парафазные сигналы, и на их трассы в топологи схемы.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *