Повышение сбоеустойчивости индикации самосинхронных схем

Ю.А. Степченков, Ю.Г. Дьяченко, Ю.В. Рождественский, Н.В. Морозов, Д.Ю. Степченков, Д.Ю. Дьяченко. Повышение сбоеустойчивости индикации самосинхронных схем // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем — 2020. Сборник трудов под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского, М.: ИППМ РАН, 2020. Выпуск 2. С. 66-72.
DOI: 10.31114/2078-7707-2020-2-66-72

Аннотация: Сложность и площадь топологической реализации индикаторной подсхемы самосинхронной (СС) схемы составляют до 50% от сложности и площади всей СС-схемы. Соответственно, вероятности появления кратковременного логического сбоя, вызываемого ионизационным током из-за внешних причин, в индикаторной подсхеме и в остальной части СС-схемы примерно одинаковы. Сбоеустойчивость индикаторной подсхемы определяется ее иммунностью к логическому сбою в индицируемой СС-схеме и сбоеустойчивостью основного компонента индикации – гистерезисного триггера (Г-триггера). Использование DICE реализации Г-триггера существенно повышает сбоеустойчивость индикаторной подсхемы. В статье предлагается заменить двухтранзисторный конвертор в DICE-реализации Г-триггера четырехтранзисторным конвертором и использовать Г-триггеры с синфазными входами и выходом для организации «дерева» индикаторных элементов, формирующих общий индикаторный выход СС-схемы из частичных индикаторных сигналов. В совокупности с элементами «равнозначность» или «неравнозначность» в качестве первого каскада индикаторной подсхемы такой подход обеспечивает абсолютную защиту от логического сбоя в индикаторной подсхеме и анти-спейсера в индицируемой схеме.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *