Степченков Ю.А., Рождественский Ю.В., Дьяченко Ю.Г., Морозов Н.В., Степченков Д.Ю., Сурков А.В. Самосинхронное устройство умножения-сложения гигафлопсного класса: варианты реализации // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем — 2014. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л. Стемпковского. М.: ИППМ РАН, 2014. Часть IV. С. 57-60.

Stepchenkov Yu.A., Rozhdestvenskij Yu.V., Diachenko Yu.G., Morozov N.V., Stepchenkov D.Yu., Surkov A.V. Speed-Independent Fused Multiply-Add Unit of Gigaflops Rating: Implementation Variants // Problems of Advanced Micro- and Nanoelectronic Systems Development, 2015, Part IV, Moscow, IPPM RAS, P. 15-16.

Stepchenkov Yu.A., Rozhdestvenskij Yu.V., Diachenko Yu.G., Morozov N.V., Stepchenkov D.Yu., Surkov A.V. Speed-Independent Fused Multiply-Add Unit of Gigaflops Rating: Implementation Variants // Problems of Perspective Micro- and Nanoelectronic Systems Development — 2014. Proceedings / edited by A. Stempkovsky, Moscow, IPPM RAS, 2014. Part IV. P. 57-60.

Аннотация: В докладе изложены результаты разработки вариантов независимого от задержек устройства умножения-сложения (SIFMA – Speed-Independed Fused Multiply-Add), соответствующего стандарту IEEE 754 и выполняющего либо одну операцию двойной точности, либо одновременно две операции одинарной точности над тремя операндами. Устройство разработано по стандартной КМОП технологии с проектными нормами 65 нм. Оно работает с синхронным или асинхронным окружением и обеспечивает производительность на уровне 1 гигафлопс при напряжении питания 1 В и температуре 25 градусов Цельсия. Энергопотребление при этом не превышает 9710 мДж/ГГц.

Abstract: This report contains the results of development of two variants of Speed-Independed Fused Multiply-Add (SIFMA) conforming to IEEE 754 Standard. SIFMA performs either one double precision operation, or two simultaneous single precision operations with three operands. SIFMA was designed under industrial CMOS 65-nm technology. It operates with synchronous and asynchronous environments and provides performance up to 1 Gigaflops at 1.0 volt of supply voltage and 25 Celsius degrees. At this, power efficiency does not exceed 970 mJ/GHz.

От admin

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *